手動(dòng)硅片測(cè)試儀可以測(cè)量硅片厚度、總厚度變化TTV、彎曲度，該儀器適用于Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料，所有的設(shè)計(jì)都符合ASTM(美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì))和Semi標(biāo)準(zhǔn)，確保與其他工藝儀器的兼容與統(tǒng)一。

硅片無接觸測(cè)試儀-產(chǎn)品特點(diǎn)

■無接觸測(cè)量■適用的晶圓材料包括Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料

■ 厚度和TTV測(cè)量采用無接觸電容法探頭■ 高分辨率液晶屏顯示厚度和TTV值■性價(jià)比高■ 菜單式快速方便設(shè)置■ 高分辨率液晶LCD顯示■提供和計(jì)算機(jī)連接的輸出端口■ 提供打印機(jī)端口■ 便攜且易于安裝■ 為晶圓硅片關(guān)鍵生產(chǎn)工藝提供的無接觸測(cè)量■高質(zhì)量微處理器為和重復(fù)精度高的測(cè)量提供強(qiáng)力保障■高質(zhì)量聚四氟乙烯晶圓測(cè)試架，為晶圓硅片定位提供保障

無接觸硅片測(cè)試儀-技術(shù)指標(biāo)

■ 晶圓硅片測(cè)試尺寸：50mm-300mm.

■厚度測(cè)試范圍：1000um，可擴(kuò)展到1700 um.

■厚度測(cè)試精度：+/-0.25um■厚度重復(fù)性精度：0.050um

■TTV 測(cè)試精度:+/-0.05um■TTV重復(fù)性精度:0.050um

■彎曲度測(cè)試范圍：+/-500um [+/-850um]■彎曲度測(cè)試精度：+/-2.0um■彎曲度重復(fù)性精度：0.750um

■ 晶圓硅片導(dǎo)電型號(hào)：P 或N型

■ 材料：Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料