SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的半導體材料。然而生長優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難，其中SiC粉源的顆粒度、純度、類型等各方面都極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結(jié)構(gòu)以及電學性質(zhì)等等。
合能陽光提供的SiC高品質(zhì)粉末，可充分滿足不同需求的客戶，為客戶SiC長晶的成品率與晶片質(zhì)量提供了可靠的保障。
氣相沉積SiC晶體粉源可用于PVT長晶
2026-01-29 10:14 2498次瀏覽
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