化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。

資源與產(chǎn)能：鍺為稀缺分散元素，全球探明儲量約 8600 噸，中國儲量占比 41%，是全球的鍺生產(chǎn)國（2023 年產(chǎn)能約 105 噸，占全球 70%），主要產(chǎn)區(qū)集中在云南、貴州、四川等地。

技術趨勢：未來將聚焦于 “提升純度 + 降低成本”，如開發(fā)多場耦合區(qū)熔技術（電磁 + 溫度梯度）、優(yōu)化熔區(qū)參數(shù)控制算法，實現(xiàn) 9N 級鍺錠的規(guī)模化生產(chǎn)；同時，鍺資源的回收利用（如從廢舊光纖、半導體器件中回收鍺）將成為重要發(fā)展方向，緩解資源短缺壓力。

電子廠：電子廠回收：半導體藍膜，半導體鍍金硅片、鍍銀瓷片、壓敏電阻、薄膜開關，廢冷光片，背光源，廢銀漿、鈀漿、擦銀布、擦金布，銀漿罐、金漿罐、含鈀陶瓷片，含金陶瓷片，含銀的陶瓷片、銀焊條、銀焊絲、銀粉、導電銀膠，鍍金，鍍銀，鍍銠鍍鉑等廢料。