IC 載板電鍍加工是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的核心工藝，專為 IC 載板（如 ABF 載板、BT 載板）沉積高精度金屬鍍層，核心作用是實現(xiàn)芯片與基板的可靠電連接、提升散熱與抗腐蝕性能。

核心工藝要求

鍍層精度：厚度公差需控制在 ±0.1μm 內(nèi)，鍍層均勻性誤差不超過 5%。

適配細線路需求：針對 IC 載板的微線路（線寬 / 線距＜20μm），需避免鍍層橋連、空洞。

材質(zhì)兼容性強：需匹配 ABF 膜、BT 樹脂、陶瓷等不同載板基材，不損傷基材性能。

工藝流程

前處理：包括對載板進行開槽、打通孔等操作，然后將載板貼在承載膠上，植入芯片和金屬塊，進行次塑封，形成塑封層；之后拆除承載膠，對一次塑封件另一面進行第二次塑封，形成第二塑封層。

電鍍準備：在塑封層和第二塑封層上打盲孔，以露出芯片的 IO 接口和金屬塊，然后對盲孔進行真空濺射，并在二次塑封件的上、下兩面建立種子層。

電鍍沉積：通過電解或化學沉積方式，讓金屬離子在載板表面沉積形成所需的鍍層，如銅、鎳、金、錫等鍍層，在電鍍過程中需要控制電場、電鍍液成分、溫度、電流密度等參數(shù)，以確保鍍層的質(zhì)量和性能。

后處理：電鍍完成后，進行清洗、烘干等操作，去除表面殘留的電鍍液和雜質(zhì)，然后對鍍層進行檢測，如檢測鍍層厚度、附著力、孔隙率等，確保產(chǎn)品質(zhì)量符合要求。

半加成工藝載板電鍍是一種用于制造高精度電子載板的工藝方法，在半導(dǎo)體封裝等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。以下是關(guān)于它的詳細介紹：

工藝原理：半加成法（SAP）的核心是通過 “逐步沉積銅層” 形成電路。先在絕緣基板表面制備超薄導(dǎo)電層，即種子層，再通過光刻技術(shù)定義線路圖形，對圖形區(qū)域電鍍加厚銅層，去除多余部分后形成完整電路。改良型半加成法（mSAP）則是在基板上預(yù)先貼合 3-9μm 的超薄低輪廓銅箔作為基銅，再進行后續(xù)操作。

工藝流程

基材準備：使用表面平整的超薄銅箔基板或無銅基材，如 1-2μm 厚銅層的基板或 ABF 薄膜等。

化學沉銅：通過化學沉積在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄銅層，作為導(dǎo)電基底，即種子層。

圖形電鍍銅：對露出的種子層區(qū)域進行電鍍加厚，使線路達到設(shè)計厚度，通常至 5-15μm，形成導(dǎo)線主體。

去膠與蝕刻：移除光刻膠或干膜，然后蝕刻掉未被電鍍覆蓋的薄種子層銅，由于種子層厚度極薄，蝕刻側(cè)蝕極小。

表面處理：進行沉金、OSP、沉錫等表面處理，以滿足后續(xù)封裝和焊接等工藝的要求。