關(guān)鍵成本與質(zhì)量控制點

成本核心：金鹽、銅鹽等貴金屬原料占比高（約占原材料成本的 30%-40%），細線路加工導致的良率損耗會顯著推高單位成本。

質(zhì)量控制：需檢測鍍層厚度（XRF 檢測）、附著力（膠帶測試）、耐腐蝕性（鹽霧測試），以及線路完整性（AOI 檢測）。

面板級加工：扇出型封裝常采用面板級封裝（FOPLP）方式，如盛美上海的 Ultra ECP ap-p 面板級電鍍設備可加工尺寸高達 515x510 毫米的面板，相比傳統(tǒng)晶圓級封裝，能提高生產(chǎn)效率，降低成本。

高精度要求：需滿足高密度互連（HDI）、超細線路 / 焊盤（線寬 / 線距常＜20μm）的要求，對鍍層均勻性、致密度、附著力、純度等方面要求，例如銅鍍層孔隙率需≤1 個 /cm2。

復雜結(jié)構(gòu)處理：對于埋入式扇出型封裝結(jié)構(gòu)，可能存在深寬比較大的通孔，電鍍時需要特殊工藝處理，以避免產(chǎn)生空洞等缺陷。

關(guān)鍵技術(shù)

電鍍液配方：例如酸性銅盲孔填充電鍍液通常為高濃度的銅（200g/L 至 250g/L 硫酸銅）和較低濃度的酸（約 50g/L 硫酸），并添加抑制劑、光亮劑和整平劑等有機添加劑，以控制電鍍速率，獲得良好的填充效果和物理特性。

添加劑控制：通過控制添加劑的濃度和比例，利用抑制劑、光亮劑和整平劑的不同作用，實現(xiàn)盲孔的自下而上填充，避免大凹陷、敷形填充等問題，同時保證鍍層的均勻性和表面質(zhì)量。

半加成工藝載板電鍍是一種用于制造高精度電子載板的工藝方法，在半導體封裝等領(lǐng)域應用廣泛。以下是關(guān)于它的詳細介紹：

工藝原理：半加成法（SAP）的核心是通過 “逐步沉積銅層” 形成電路。先在絕緣基板表面制備超薄導電層，即種子層，再通過光刻技術(shù)定義線路圖形，對圖形區(qū)域電鍍加厚銅層，去除多余部分后形成完整電路。改良型半加成法（mSAP）則是在基板上預先貼合 3-9μm 的超薄低輪廓銅箔作為基銅，再進行后續(xù)操作。

工藝流程

基材準備：使用表面平整的超薄銅箔基板或無銅基材，如 1-2μm 厚銅層的基板或 ABF 薄膜等。

化學沉銅：通過化學沉積在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄銅層，作為導電基底，即種子層。

圖形電鍍銅：對露出的種子層區(qū)域進行電鍍加厚，使線路達到設計厚度，通常至 5-15μm，形成導線主體。

去膠與蝕刻：移除光刻膠或干膜，然后蝕刻掉未被電鍍覆蓋的薄種子層銅，由于種子層厚度極薄，蝕刻側(cè)蝕極小。

表面處理：進行沉金、OSP、沉錫等表面處理，以滿足后續(xù)封裝和焊接等工藝的要求。