集成電路（IC）制造

用途：作為金屬互連層或接觸電極材料，用于芯片內(nèi)部的導(dǎo)電線路、晶體管電極等關(guān)鍵部位。

優(yōu)勢(shì)：銦的低熔點(diǎn)和高延展性使其易于加工成極薄的薄膜，滿足納米級(jí)制程對(duì)材料精度的要求。

先進(jìn)封裝技術(shù)

應(yīng)用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導(dǎo)。

特點(diǎn)：低熔點(diǎn)（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。

. 光通信器件

應(yīng)用：在光纖連接器、光調(diào)制器中作為鍍膜材料，提升光學(xué)元件的信號(hào)傳輸效率和穩(wěn)定性。

場(chǎng)景：數(shù)據(jù)中心高速光模塊、5G 前傳網(wǎng)絡(luò)的光器件制造。

銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵材料，其應(yīng)用深度和廣度直接反映一個(gè)國家在半導(dǎo)體、顯示、光伏等領(lǐng)域的技術(shù)水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復(fù)雜，銦靶的供應(yīng)鏈已成為各國關(guān)注的重點(diǎn)。未來，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長，同時(shí)推動(dòng)高純銦（99.999% 以上）制備技術(shù)的不斷突破。