純化技術(shù)

區(qū)熔法：一種通過(guò)熔化和重新結(jié)晶來(lái)純化材料的方法，可有效去除銦中的雜質(zhì)，提高其純度。

電解精煉：利用電化學(xué)反應(yīng)將銦從雜質(zhì)中分離出來(lái)。將銦材料作為陽(yáng)極，置于電解液中，通過(guò)施加電流使銦離子在陰極上沉積，從而得到高純度的銦。

化學(xué)純化：利用化學(xué)反應(yīng)去除銦中的雜質(zhì)，例如通過(guò)溶劑萃取和化學(xué)沉淀等方法，可有效分離和去除雜質(zhì)，提高銦的純度。

集成電路（IC）制造

用途：作為金屬互連層或接觸電極材料，用于芯片內(nèi)部的導(dǎo)電線路、晶體管電極等關(guān)鍵部位。

優(yōu)勢(shì)：銦的低熔點(diǎn)和高延展性使其易于加工成極薄的薄膜，滿足納米級(jí)制程對(duì)材料精度的要求。

平板顯示（LCD/OLED/Micro-LED）

核心用途：制備透明導(dǎo)電薄膜（如氧化銦錫，ITO），作為顯示面板的電極層和觸控層。

LCD：用于玻璃基板的 ITO 薄膜，實(shí)現(xiàn)像素電極的導(dǎo)電功能。

OLED/Micro-LED：作為柔性基板（如 PI 膜）的透明電極，滿足柔性顯示對(duì)材料延展性的要求。

市場(chǎng)占比：全球超過(guò) 70% 的銦靶材用于顯示面板生產(chǎn)，是 LCD/OLED 產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵材料。

濺射時(shí)間與沉積厚度

厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜沉積速率，結(jié)合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關(guān)），控制濺射時(shí)間。

靶材利用率：避免過(guò)度濺射導(dǎo)致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時(shí)需及時(shí)更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉(zhuǎn)靶可提升至 60% 以上。