集成電路（IC）制造

用途：作為金屬互連層或接觸電極材料，用于芯片內(nèi)部的導(dǎo)電線路、晶體管電極等關(guān)鍵部位。

優(yōu)勢：銦的低熔點和高延展性使其易于加工成極薄的薄膜，滿足納米級制程對材料精度的要求。

航空航天與國防科技

1. 紅外探測與成像

用途：在紅外焦平面陣列（IRFPA）中作為芯片互連材料（如銦柱倒裝焊），實現(xiàn)探測器芯片與讀出電路的高密度連接。

場景：軍用夜視儀、衛(wèi)星遙感設(shè)備、熱成像儀等。

2. 高溫真空器件

應(yīng)用：在航空航天用真空電子器件（如行波管、磁控管）中作為密封材料或電極鍍膜，利用銦的低蒸氣壓和抗腐蝕特性。

濺射氣體控制

氣體純度：使用高純氬氣（99.999% 以上），避免氧氣、水汽混入導(dǎo)致銦靶氧化（氧化銦導(dǎo)電性下降，易形成電弧放電）。

氣壓調(diào)節(jié)：

直流濺射（DC）：氣壓通常為 0.1~10 Pa，低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低；高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。

射頻濺射（RF）：適用于絕緣基底，氣壓可略高于直流濺射，需根據(jù)薄膜厚度要求動態(tài)調(diào)整。

防護(hù)措施

個人防護(hù)：操作時佩戴防靜電手套、護(hù)目鏡，避免直接接觸銦靶（銦金屬，但粉塵吸入可能刺激呼吸道，需在通風(fēng)良好環(huán)境下操作）。

防火防爆：銦粉或碎屑屬于可燃固體（引燃溫度約 200℃），需遠(yuǎn)離明火，廢棄靶材及碎屑應(yīng)收集于專用容器中，按危險廢棄物處理。

電磁屏蔽：射頻濺射時需確保設(shè)備接地良好，防止電磁輻射對操作人員或周邊儀器的干擾。