化合物半導(dǎo)體器件

場(chǎng)景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用于 5G 通信基站、雷達(dá)、光纖通信等高頻電子設(shè)備。

作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

平板顯示（LCD/OLED/Micro-LED）

核心用途：制備透明導(dǎo)電薄膜（如氧化銦錫，ITO），作為顯示面板的電極層和觸控層。

LCD：用于玻璃基板的 ITO 薄膜，實(shí)現(xiàn)像素電極的導(dǎo)電功能。

OLED/Micro-LED：作為柔性基板（如 PI 膜）的透明電極，滿足柔性顯示對(duì)材料延展性的要求。

市場(chǎng)占比：全球超過 70% 的銦靶材用于顯示面板生產(chǎn)，是 LCD/OLED 產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵材料。

存儲(chǔ)環(huán)境控制

溫濕度：存儲(chǔ)于干燥、恒溫環(huán)境（溫度 15~25℃，濕度≤40% RH），避免銦靶吸潮氧化（銦在潮濕空氣中易生成 In?O?薄膜，影響濺射效率）。

防塵防潮：用鋁箔或真空袋密封包裝，存放于潔凈柜中，防止灰塵附著或與其他化學(xué)物質(zhì)接觸。

濺射氣體控制

氣體純度：使用高純氬氣（99.999% 以上），避免氧氣、水汽混入導(dǎo)致銦靶氧化（氧化銦導(dǎo)電性下降，易形成電弧放電）。

氣壓調(diào)節(jié)：

直流濺射（DC）：氣壓通常為 0.1~10 Pa，低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低；高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。

射頻濺射（RF）：適用于絕緣基底，氣壓可略高于直流濺射，需根據(jù)薄膜厚度要求動(dòng)態(tài)調(diào)整。