光伏領域：在薄膜太陽能電池中，銦靶材可作為光吸收層形成用的濺射靶，如 Cu-In-Ga-Se 系（CIGS 系）薄膜太陽能電池，有助于提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

薄膜太陽能電池

主流技術：用于銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽能電池的濺射鍍膜，作為光吸收層（In-Ga-Se 合金）的核心材料。

優(yōu)勢：CIGS 電池的光電轉(zhuǎn)換效率超過 23%，銦靶的純度直接影響電池的開路電壓和填充因子。

科研與前沿技術

1. 量子計算與超導器件

探索應用：銦薄膜作為超導材料（如 In-Nb 合金），用于量子比特器件的制備，利用其超導電性實現(xiàn)低損耗量子信號傳輸。

2. 柔性電子與可穿戴設備

技術方向：在柔性電路板（FPC）、電子皮膚中作為可拉伸導電薄膜，利用銦的高延展性滿足器件形變需求。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導致靶材熔融或飛濺（銦熔點僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會導致銦原子擴散加劇，影響薄膜結晶質(zhì)量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導致靶材變形或脫靶。