先進(jìn)封裝技術(shù)

應(yīng)用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導(dǎo)。

特點(diǎn)：低熔點(diǎn)（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。

固態(tài)電池與儲能技術(shù)

前沿應(yīng)用：銦作為固態(tài)電解質(zhì)的界面改性材料，改善電極與電解質(zhì)的接觸阻抗，提升固態(tài)電池的循環(huán)壽命和性。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。

防護(hù)措施

個(gè)人防護(hù)：操作時(shí)佩戴防靜電手套、護(hù)目鏡，避免直接接觸銦靶（銦金屬，但粉塵吸入可能刺激呼吸道，需在通風(fēng)良好環(huán)境下操作）。

防火防爆：銦粉或碎屑屬于可燃固體（引燃溫度約 200℃），需遠(yuǎn)離明火，廢棄靶材及碎屑應(yīng)收集于專用容器中，按危險(xiǎn)廢棄物處理。

電磁屏蔽：射頻濺射時(shí)需確保設(shè)備接地良好，防止電磁輻射對操作人員或周邊儀器的干擾。