純化技術(shù)

區(qū)熔法：一種通過熔化和重新結(jié)晶來純化材料的方法，可有效去除銦中的雜質(zhì)，提高其純度。

電解精煉：利用電化學(xué)反應(yīng)將銦從雜質(zhì)中分離出來。將銦材料作為陽極，置于電解液中，通過施加電流使銦離子在陰極上沉積，從而得到高純度的銦。

化學(xué)純化：利用化學(xué)反應(yīng)去除銦中的雜質(zhì)，例如通過溶劑萃取和化學(xué)沉淀等方法，可有效分離和去除雜質(zhì)，提高銦的純度。

先進(jìn)封裝技術(shù)

應(yīng)用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導(dǎo)。

特點(diǎn)：低熔點(diǎn)（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。

銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵材料，其應(yīng)用深度和廣度直接反映一個(gè)國家在半導(dǎo)體、顯示、光伏等領(lǐng)域的技術(shù)水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復(fù)雜，銦靶的供應(yīng)鏈已成為各國關(guān)注的重點(diǎn)。未來，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長，同時(shí)推動(dòng)高純銦（99.999% 以上）制備技術(shù)的不斷突破。

濺射氣體控制

氣體純度：使用高純氬氣（99.999% 以上），避免氧氣、水汽混入導(dǎo)致銦靶氧化（氧化銦導(dǎo)電性下降，易形成電弧放電）。

氣壓調(diào)節(jié)：

直流濺射（DC）：氣壓通常為 0.1~10 Pa，低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低；高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。

射頻濺射（RF）：適用于絕緣基底，氣壓可略高于直流濺射，需根據(jù)薄膜厚度要求動(dòng)態(tài)調(diào)整。