化合物半導(dǎo)體器件

場景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用于 5G 通信基站、雷達(dá)、光纖通信等高頻電子設(shè)備。

作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

航空航天與國防科技

1. 紅外探測與成像

用途：在紅外焦平面陣列（IRFPA）中作為芯片互連材料（如銦柱倒裝焊），實(shí)現(xiàn)探測器芯片與讀出電路的高密度連接。

場景：軍用夜視儀、衛(wèi)星遙感設(shè)備、熱成像儀等。

2. 高溫真空器件

應(yīng)用：在航空航天用真空電子器件（如行波管、磁控管）中作為密封材料或電極鍍膜，利用銦的低蒸氣壓和抗腐蝕特性。

存儲環(huán)境控制

溫濕度：存儲于干燥、恒溫環(huán)境（溫度 15~25℃，濕度≤40% RH），避免銦靶吸潮氧化（銦在潮濕空氣中易生成 In?O?薄膜，影響濺射效率）。

防塵防潮：用鋁箔或真空袋密封包裝，存放于潔凈柜中，防止灰塵附著或與其他化學(xué)物質(zhì)接觸。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。