粉末冶金法：通過(guò)將銦粉末在高溫下壓制和燒結(jié)成型，可有效控制雜質(zhì)含量，能制造出形狀復(fù)雜的靶材，制得的靶材具有較高的致密度和均勻性。

熔煉法：將銦材料加熱至熔點(diǎn)以上，使其成為液態(tài)，然后通過(guò)鑄?；蚱渌尚凸に囍圃彀胁?，該方法簡(jiǎn)單快捷，但控制純度和均勻性相對(duì)較難。

濺射氣體控制

氣體純度：使用高純氬氣（99.999% 以上），避免氧氣、水汽混入導(dǎo)致銦靶氧化（氧化銦導(dǎo)電性下降，易形成電弧放電）。

氣壓調(diào)節(jié)：

直流濺射（DC）：氣壓通常為 0.1~10 Pa，低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低；高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。

射頻濺射（RF）：適用于絕緣基底，氣壓可略高于直流濺射，需根據(jù)薄膜厚度要求動(dòng)態(tài)調(diào)整。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過(guò)高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過(guò)熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過(guò)熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過(guò)程中靶材溫度低于 80℃（高溫會(huì)導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。

錦鑫業(yè)務(wù)回收范圍：

冶煉廠：黃金，白銀，鉑金，鈀金，銠金，銀鋅電瓶，以及粗鉛,貴鉛,陽(yáng)極泥等廢料;

礦山廠：銅粉，鉛粉，活性炭，載金炭，炭泥，銀粉，銀泥，金泥，一切煉金，煉銀，煉鉑，鈀銠的廢渣廢料等。

電鍍廠：金鹽，銀鹽，金水，鈀水，氯化鈀，金銀廢水等廢料；

電子廠：電子廠回收：半導(dǎo)體藍(lán)膜，半導(dǎo)體鍍金硅片、鍍銀瓷片、壓敏電阻、薄膜開(kāi)關(guān)，廢冷光片，背光源，廢銀漿、鈀漿、擦銀布、擦金布，銀漿罐、金漿罐、含鈀陶瓷片，含金陶瓷片，含銀的陶瓷片、銀焊條、銀焊絲、銀粉、導(dǎo)電銀膠，鍍金，鍍銀，鍍銠鍍鉑等廢料。

首飾廠：拋光打磨粉，地毯，洗手池等廢料；

印刷廠：印刷廢菲林、X光片、定影水；

化工石油廠：鈀，鉑，銠，釕催化劑等。