集成電路（IC）制造

用途：作為金屬互連層或接觸電極材料，用于芯片內(nèi)部的導(dǎo)電線路、晶體管電極等關(guān)鍵部位。

優(yōu)勢(shì)：銦的低熔點(diǎn)和高延展性使其易于加工成極薄的薄膜，滿足納米級(jí)制程對(duì)材料精度的要求。

化合物半導(dǎo)體器件

場(chǎng)景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用于 5G 通信基站、雷達(dá)、光纖通信等高頻電子設(shè)備。

作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

薄膜太陽(yáng)能電池

主流技術(shù)：用于銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽(yáng)能電池的濺射鍍膜，作為光吸收層（In-Ga-Se 合金）的核心材料。

優(yōu)勢(shì)：CIGS 電池的光電轉(zhuǎn)換效率超過(guò) 23%，銦靶的純度直接影響電池的開(kāi)路電壓和填充因子。

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