集成電路（IC）制造
用途：作為金屬互連層或接觸電極材料，用于芯片內部的導電線路、晶體管電極等關鍵部位。
優(yōu)勢：銦的低熔點和高延展性使其易于加工成極薄的薄膜，滿足納米級制程對材料精度的要求。
化合物半導體器件
場景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導體芯片，廣泛應用于 5G 通信基站、雷達、光纖通信等高頻電子設備。
作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
薄膜太陽能電池
主流技術：用于銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽能電池的濺射鍍膜，作為光吸收層（In-Ga-Se 合金）的核心材料。
優(yōu)勢：CIGS 電池的光電轉換效率超過 23%，銦靶的純度直接影響電池的開路電壓和填充因子。
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